Infineon
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Einleitung
Infineon
Neueste Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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300W-500W Schalter des Verstärker-TO-220 IRFB4227PBF PDP |
N-Kanal 200 V 65A (Tc) 330W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Isolierschichtbipolar transistor IRGB10B60KDPBF IGBT 600V 22A 156W |
IGBT NPT 600 V 22 A 156 W durch Loch TO-220AB
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IRGIB10B60KD1P-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
IGBT NPT 600 V 16 A 44 W durch Loch TO-220AB Voll-PAK
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IRGP35B60PDPBF Feldwirkungstransistor |
IGBT NPT 600 V 60 A 308 W durch Loch TO-247AC
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IRGP20B60PDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
IGBT NPT 600 V 40 A 220 W durch Loch TO-247AC
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IRGB6B60KDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
IGBT NPT 600 V 13 A 90 W durch Loch TO-220AB
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IRGP50B60PD1PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
IGBT NPT 600 V 75 A 390 W durch Loch TO-247AC
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IRGP50B60PDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
IGBT NPT 600 V 75 A 370 W durch Loch TO-247AC
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IRG4BC30KDSTRRP Feldwirkungstransistor |
IGBT 600 V 28 A 100 W Oberflächenhalter D2PAK
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IRFH5300TRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 30 V 40 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6 W (Ta), 250 W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
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IRFIZ44NPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
N-Kanal 55 V 31A (Tc) 45W (Tc) durch Loch TO-220AB Voll-PAK
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IRF640NPBF Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial |
N-Kanal 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) durch Loch TO-220AB
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IRF6665TRPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
N-Kanal 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Oberflächenhalter DIRECTFETTM SH
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IRF6216TRPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
P-Kanal 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Oberflächenhalter 8-SO
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IRF6638TRPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
N-Kanal 30 V 25A (Ta), 140A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Oberflächenhalterung DIRECTFETTM MX
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IRF6218STRLPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
P-Kanal 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenhalter D2PAK
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IRF630NPBF Feldwirkungstransistor |
N-Kanal 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) durch Loch TO-220AB
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IRF6620TRPBF Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial |
N-Kanal 20 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Oberflächenmontage DIRECTFETTM MX
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IRF630NSTRLPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
N-Kanal 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Oberflächenhalter D2PAK
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IRF640NSTRLPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
Berg D2PAK des N-Kanal-200 V 18A (Tc) der Oberflächen-150W (Tc)
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XC161CJ16F40FBBKXUMA1 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
C166SV2 XC16x Mikrocontroller IC 16-Bit 40MHz 128KB (128K x 8) FLASH PG-TQFP-144-7
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BA595E6327 Elektronischer IC-Chip |
Funkdioden-PIN - Einzel 50V 50 mA PG-SOD323-2-1
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AUIR3200STR NEU UND STAMMAKTIE |
Hoch-seitiger Tor-Fahrer IC Non-Inverting PG-DSO-8-904
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IR2011STRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Hoch-seitiger oder Niedrig-seitiger Tor-Fahrer IC Inverting 8-SOIC
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IR2085STRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Halbbrücke-Tor-Fahrer IC RC gab Stromkreis 8-SOIC ein
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IR2010STRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Halbbrücke-Tor-Fahrer IC Non-Inverting 16-SOIC
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IRL1404PBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 40 V 160A (Tc) 200W (Tc) durch Loch TO-220AB
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IRGI4061DPBF NEU UND STAMMAKTIE |
IGBT graben 600 V 20 A 43 W durch Loch TO-220AB
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AUIRFS4010-7TRL NEU UND STAMMAKTIE |
Berg D2PAK (7-Lead) des N-Kanal-100 V 190A (Tc) 380W (Tc) der Oberflächen-
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IRF6638TRPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
N-Kanal 30 V 25A (Ta), 140A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Oberflächenhalterung DIRECTFETTM MX
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